[论文翻译]免疫调节化合物定制筛选与分析服务

通过增殖预先存在的细胞池来维持记忆T细胞可能受到限制，因为细胞群体在发生生长停滞前所能经历的增殖程度存在上限 (23)。这一限制由染色体末端称为端粒的DNA六聚体重复序列的侵蚀所决定，这些端粒会随着每次复制周期而丢失 (23)。在缺乏补偿因素的情况下，每轮增殖后端粒会缩短约50-100个碱基，直至达到临界点——此时暴露的端粒DNA末端会被识别为DNA双链断裂 (24)。这会募集参与DNA修复的蛋白质复合物，通常称为DNA损伤应答 (DDR) (23, 25, 26)。如果细胞能够上调端粒酶活性（该酶可将端粒重新添加到染色体末端），则可延缓端粒依赖性衰老的发生 (24)。当端粒或非端粒DNA通过不依赖端粒缩短的其他方式受损时（端粒非依赖性衰老），也会发生细胞衰老 (23)。这包括活性氧、电离辐射、染色质扰动以及p53和应激通路激活造成的损伤 (23)。在大多数情况下，会诱导与端粒侵蚀触发的几乎相同的DDR，除非DNA能被修复，否则细胞将经历生长停滞。衰老相关的DNA损伤灶（无论是由端粒依赖性还是端粒非依赖性DNA损伤引起）可通过染色复合物中的分子（如组蛋白γH2AX）来识别 (27)。当人类CD4+ T细胞从初始表型逐渐分化为效应记忆 (EM) 表型时，它们会丧失上调端粒酶活性的能力，这与端粒逐渐缩短相关 (28)。然而，CD4+CD27−CD45RA+ (EMRA) T细胞的端粒长度和端粒酶活性此前尚未被研究过。